УСИЛИТЕЛЬ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ УСИЛЕНИЯ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ
DOI:
https://doi.org/10.54613/ku.v1i1.376Keywords:
усилитель, транзистор, динамическое сопротивление, сигнал, ток, затвор, исток, сток, искажение.Abstract
Представлен усилитель с динамической нагрузкой, обеспечивающий повышение коэффициента усиления и исключающий искажение формы выходного сигнала. Предлагаемый эффект реализуется путем перераспределения напряжения на динамическом сопротивлении транзистора. Проведено моделирование процесса, которое подтвердило правильность подхода.
Foydalanilgan adabiyotlar:
Semiconductors: three-dimensional tomorrow. http://wiki.miem.edu.ru
Ionesco Adrian M., Riel Heike. Tunnel field effect transistors as energy efficient electronic switches // Nature. November 2011. V. 479. ¼ 17 pp. 329–337.
Kondratyuk A.V. Analysis of the features of typical designs of field- effect transistors with an insulated gate//Young scientist-2016-¼23- pp.59-66 https://moluch.ru/archive/127/35054/.
Aripova Z.Kh., Toshmatov Sh.T. Cascode injection-voltaic transistor // Journal of Physics of Semiconductors and Microelectronics, 2019, vol. 1, issue 2, pp. 36-40.
Mulaydinov, F., & Solidjonov, D. Virtual va to’ldirilgan reallik texnologiyalari. Tamaddun–2022.
Aripov Kh.K., Alimova N.B., Bustanov Kh.Kh., Ob’edkov E.V. and Toshmatov Sh.T. Adapted Electronic Switching Cell with Power Supple from Solar Cell. // Applied Solar Energy Allerton Press, Inc. 2010, -Vol. 45, 2009. -¼2. pp. 9-13.
Aripov Kh.K., Alimova N.B. Study of the amplifying properties of a bipolar transistor in the injection-voltaic mode. // Info communications: Networks-Technologies-Solutions. Tashkent, 2009.- No. 1 (9). pp. 22-25.
Jessy Russel. Field-effect transistor, VSD, 2912.-80ps.
Field effect transistor voltage amplifier. http://toe-kgeu.ru/automaticelements/197-automaticelements1
Patent for invention ¼ IAP 05322 “Voltage amplifier with dynamic 11. load” / Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Kamanov 12. B.M. Tashkent, Bul. ¼12 fr. 20.12.2016.
Downloads
Published
Iqtiboslik olish
Issue
Section
License
Copyright (c) 2023 QO‘QON UNIVERSITETI XABARNOMASI
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.