CURRENT TRANSFER IN p-Si–n-(Si2)1-x(GaN)x HETEROSTRUCTURE

Zhuraev Asom Kuylibayevich

doi:10.54613/ku.v1i1.373

CURRENT TRANSFER IN p-Si–n-(Si2)1-x(GaN)x HETEROSTRUCTURE

Authors

Zhuraev Asom Kuylibayevich Second-year student of information security Nurafshon branch of TUIT

DOI:

https://doi.org/10.54613/ku.v1i1.373

Keywords:

solid solutions, Si2, GaNx, single crystal, liquid phase epitaxy from tin solution, hydrogen environment, voltage characteristics.

Abstract

This paper presents the results of a study on the growth of substitutional solid solutions (Si2)1-x(GaN)x on single-crystal Si (111) substrates by liquid-phase epitaxy from a limited volume of a tin solution-melt in a hydrogen medium and the current-voltage characteristic (CVC) of p-Si-n-(Si2)1-x(GaN)x structures.

Foydalanilgan adabiyotlar:

Патент РУз №IAP 05322 от 14.12.2016. Усилитель напряжения с динамической нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М.

Yodgorova D.M., Karimov A.V., Mavlyanov A.Sh. // Сontrolling mechanisms of spacecharge region in compound field-effect transistors. WJERT 01.04.2018 www.wjert.org P. 31- 35

Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляяющим р-nпереходом при различных режимах включения // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С. 230-235

Mulaydinov, F., & Solidjonov, D. Virtual va to’ldirilgan reallik texnologiyalari. Tamaddun–2022.

Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С.226-229.

CURRENT TRANSFER IN p-Si–n-(Si2)1-x(GaN)x HETEROSTRUCTURE

CURRENT TRANSFER IN p-Si–n-(Si2)1-x(GaN)x HETEROSTRUCTURE

Authors

DOI:

Keywords:

Abstract

Foydalanilgan adabiyotlar:

Downloads

Published

Iqtiboslik olish

Issue

Section

License