CURRENT TRANSFER IN p-Si–n-(Si2)1-x(GaN)x HETEROSTRUCTURE
- Authors
-
-
Zhuraev Asom Kuylibayevich
Second-year student of information security Nurafshon branch of TUIT
-
- Keywords:
- Array
- Abstract
-
This paper presents the results of a study on the growth of substitutional solid solutions (Si2)1-x(GaN)x on single-crystal Si (111) substrates by liquid-phase epitaxy from a limited volume of a tin solution-melt in a hydrogen medium and the current-voltage characteristic (CVC) of p-Si-n-(Si2)1-x(GaN)x structures.
- References
-
Патент РУз №IAP 05322 от 14.12.2016. Усилитель напряжения с динамической нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М.
Yodgorova D.M., Karimov A.V., Mavlyanov A.Sh. // Сontrolling mechanisms of spacecharge region in compound field-effect transistors. WJERT 01.04.2018 www.wjert.org P. 31- 35
Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляяющим р-nпереходом при различных режимах включения // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С. 230-235
Mulaydinov, F., & Solidjonov, D. Virtual va to’ldirilgan reallik texnologiyalari. Tamaddun–2022.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С.226-229.
- Cover Image
-
- Downloads
- Published
- 2023-05-15
- Section
- ANIQ VA TABIIY FANLAR TA`LIMIDA ERISHILGAN YUTUQLAR VA ISTIQBOLLI VAZIFALAR
- License
-
Copyright (c) 2023 QO‘QON UNIVERSITETI XABARNOMASI
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
